赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠赫爾納-供應(yīng)德國直采microchemicals光刻膠

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microchemicals光刻膠主要產(chǎn)品：

1.  光刻膠

2.  增粘劑

3.  蝕刻混合物

4.  電鍍

microchemicals光刻膠產(chǎn)品型號：

l  AZ ® 15nXT

microchemicals光刻膠產(chǎn)品特點：

光刻膠正抗、負抗和反轉(zhuǎn)抗蝕劑

在正性抗蝕劑的情況下，由于在那里發(fā)生茚羧酸的形成，曝光區(qū)域變得可溶于顯影劑中。由于正性抗蝕劑不交聯(lián)，過其軟化點（約 100-130°C）會導致抗蝕劑輪廓變圓。

microchemicals光刻膠產(chǎn)品應(yīng)用：

microchemicals光刻膠另一方面，負性抗蝕劑如AZ ® nLOF 2000 系列或AZ ® 15nXT和AZ ® 125nXT，通過隨后的烘烤步驟在曝光區(qū)域交聯(lián)（對于AZ ® 125nXT不是必需的）并保留在顯影后的底材。

在高溫下，交聯(lián)也可以油漆輪廓變圓。然而，在高工藝溫度下，熱交聯(lián)度會增加到這樣的程度，以至于濕化學剝離變得困難甚至不可能。

microchemicals光刻膠圖像反轉(zhuǎn)抗蝕劑可以正片和負片兩種方式處理。雖然在正模式下，與正抗蝕劑的工藝順序相同，但負模式曝光后反向烘烤步驟，然后是泛光曝光。樹脂的交聯(lián)僅在負模式下發(fā)生很小的程度，因此油漆結(jié)構(gòu)在油漆軟化點以上變得圓潤

microchemicals光刻膠適當?shù)耐繉?/span>

microchemicals光刻膠旋涂是用光刻膠涂覆基材的常用方法。幾乎的 AZ ®和 TI 涂料都為此進行了優(yōu)化，并允許平滑且非常均勻的層厚。所到的涂料層厚度與旋轉(zhuǎn)速度的平方根的倒數(shù)成正比，因此可以在每種涂料的特定范圍內(nèi)進行調(diào)整。由于邊緣珠在低旋轉(zhuǎn)速度下更明顯，因此應(yīng)使用AZ ® 4562或AZ ® 9260等高粘度涂料和合適的旋轉(zhuǎn)曲線來獲得較大的漆膜厚度。

噴涂 還允許涂覆高度紋理化的基材。為獲得均勻的漆層厚度、光滑的漆面和良好的邊緣覆蓋率，使用具有不同蒸氣壓的不同溶劑的優(yōu)化混合物，如在噴漆AZ ® 4999或TI Spray中預(yù)設(shè)的那樣。

浸涂 可以在大平方米范圍內(nèi)的大型矩形基材上進行非常具有成本效益（高油漆產(chǎn)量！）的涂層。為了在整個基板表面上獲得均勻的抗蝕劑層厚度，對溶劑成分進行佳調(diào)整，就像MC Dip Coating Resist一樣。

干化學蝕刻具有盡可能高的軟化點和垂直抗蝕劑邊緣的抗蝕劑掩模。為此，AZ ® 701 MIR 14cps或29cps針對非常高的分辨率要求進行了優(yōu)化。油漆僅在 130°C 左右開始變圓。

厚抗蝕劑處理：如果過 5 µm 的抗蝕劑層厚度，則使用適當?shù)暮窨刮g劑，例如AZ ® 4562或AZ ® 9260，或負性AZ ® 15nXT或AZ ® 125nXT。除了層厚約 10 µm 的垂直油漆邊緣外，后者還由于其交聯(lián)性而提供出色的熱穩(wěn)定性。

漆膜厚度

許多針對特定應(yīng)用進行了優(yōu)化的光刻膠可提供各種調(diào)整后的粘度，以實現(xiàn)大范圍的抗蝕劑層厚度。通常后兩位數(shù)字表示清漆以 100 nm 為單位（在本例中為 3.2 µm），在 4000 rpm（無 Gyrset）下到的抗蝕劑層厚度?？刮g劑層厚度隨著旋轉(zhuǎn)速度的平方根而減小（例如AZ ® 4533：在 2000 ... 4000 ... 6000 rpm 時為 4.0 µm ... 3.3 µm ... 2.3 µm），因此一定的粘度，所到的漆層厚度可以在一定范圍內(nèi)調(diào)整。如果要擴大這些限制，建議使用另一個可用的粘度等級。通過用 PGMEA (= AZ ® EBR Solvent ) 稀釋高粘度光刻膠) 或其他合適的溶劑（例如乙酸丁酯或乳酸乙酯），具有不同抗蝕劑層厚度的工藝基本上可以使用一種光刻膠進行。然而，應(yīng)該注意的是，稀釋的光刻膠傾向于形成不同程度的顆粒，這取決于光刻膠系統(tǒng)。由于粒子本身由光引發(fā)劑組成，因此即使在粒子過濾后，光刻膠的性能也會受到限制：暗磨損增加（未曝光的光引發(fā)劑 = 顯影劑中的抑制劑），顯影速率下降，即光刻膠的度下降.

用薄光刻膠堆積厚光刻膠層是有問題的，原因有兩個：為此所需的低旋轉(zhuǎn)速度會增加邊緣珠，并且薄光刻膠中通常高濃度的光引發(fā)劑會導致強烈的 N2 形成，并伴有起泡和/或應(yīng)力當已經(jīng)形成的厚抗蝕劑層暴露在光線下時會出現(xiàn)裂縫，或者無法進行透光曝光。

光譜靈敏度